
BUK7D36-60EX Nexperia
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7D36-60EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7D36-60EX за ціною від 7.82 грн до 47.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BUK7D36-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7D36-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK7D36-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W Application: automotive industry Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 56A Mounting: SMD Case: DFN6; SOT1220 Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.9A On-state resistance: 76mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BUK7D36-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W Application: automotive industry Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 56A Mounting: SMD Case: DFN6; SOT1220 Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.9A On-state resistance: 76mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |