Продукція > NXP USA INC. > BUK7E4R0-80E,127
BUK7E4R0-80E,127

BUK7E4R0-80E,127 NXP USA Inc.


BUK7E4R0-80E.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+97.62 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7E4R0-80E,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: I2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BUK7E4R0-80E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R0-80E,127 Виробник : NXP USA Inc. BUK7E4R0-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.