BUK7J1R4-40HX Nexperia
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 157+ | 82.85 грн |
| 169+ | 76.64 грн |
| 171+ | 75.87 грн |
| 185+ | 67.58 грн |
| 250+ | 61.95 грн |
| 500+ | 58.88 грн |
| 1000+ | 58.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7J1R4-40HX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7J1R4-40HX за ціною від 52.34 грн до 275.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 190A |
на замовлення 21329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |