Продукція > NEXPERIA > BUK7J1R4-40HX
BUK7J1R4-40HX

BUK7J1R4-40HX Nexperia


buk7j1r440h.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.51 грн
247+49.40 грн
250+48.91 грн
253+43.19 грн
500+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7J1R4-40HX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK7J1R4-40HX за ціною від 37.80 грн до 207.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r440h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.34 грн
13+46.90 грн
14+45.87 грн
25+43.79 грн
100+40.14 грн
250+38.50 грн
500+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7J1R4-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+106.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r4-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r4-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+161.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r4-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r4-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7J1R4-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.99 грн
10+134.88 грн
100+108.06 грн
500+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia BUK7J1R4-40H.pdf MOSFETs BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 25194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
10+153.13 грн
100+105.20 грн
500+94.17 грн
1500+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : NEXPERIA buk7j1r4-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 190A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40HX Виробник : Nexperia buk7j1r440h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7J1R4-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Application: automotive industry
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 103nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7J1R4-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Application: automotive industry
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 103nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.