BUK7J1R4-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 102.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7J1R4-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7J1R4-40HX за ціною від 80.58 грн до 201.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 28080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |