
BUK7J1R4-40HX Nexperia
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
242+ | 50.51 грн |
247+ | 49.40 грн |
250+ | 48.91 грн |
253+ | 43.19 грн |
500+ | 40.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7J1R4-40HX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7J1R4-40HX за ціною від 37.80 грн до 207.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 25194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7J1R4-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Application: automotive industry Power dissipation: 395W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 103nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 600A Mounting: SMD Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BUK7J1R4-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Application: automotive industry Power dissipation: 395W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 103nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 600A Mounting: SMD Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |