BUK7K17-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 37.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K17-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 30, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113, Verlustleistung Pd: 53, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung, p-Kanal: 53, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції BUK7K17-60EX за ціною від 32.90 грн до 102.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7K17-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 166492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7K17-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7K17-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs Dual N-channel 80 V, 17 mohm standard level MOSFET |
на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7K17-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7K17-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7K17-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BUK7K17-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7K17-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung Pd: 53 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Виробник : NEXPERIA |
BUK7K17-60EX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |