BUK7K23-80EX Nexperia
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 420+ | 29.02 грн |
| 437+ | 27.86 грн |
| 500+ | 26.85 грн |
| 1000+ | 25.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K23-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK7K23-80EX за ціною від 36.20 грн до 131.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7K23-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56DPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK7K23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7K23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7K23-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK7K23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 17A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK7K23-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W Application: automotive industry Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A On-state resistance: 58mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
BUK7K23-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK7K23-80E/SOT1205/LFPAK56D |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W Application: automotive industry Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A On-state resistance: 58mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |