BUK7K25-40E,115 Nexperia USA Inc.


BUK7K25-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7K25-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK7K25-40E,115 за ціною від 14.24 грн до 203.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K25-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.77 грн
10+46.90 грн
100+30.76 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E,115 Nexperia BUK7K25-40E.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.54 грн
10+51.79 грн
100+29.68 грн
500+23.32 грн
1000+19.97 грн
1500+15.78 грн
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.66 грн
10+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.77 грн
10+46.90 грн
100+30.76 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.54 грн
10+51.79 грн
100+29.68 грн
500+23.32 грн
1000+19.97 грн
1500+15.78 грн
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 NEXP-S-A0003060197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+203.66 грн
10+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 NEXP-S-A0003060197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.