BUK7K32-100EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 59.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K32-100EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 64W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції BUK7K32-100EX за ціною від 52.16 грн до 195.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7K32-100EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK7K32-100EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 100V 29A N-CH MOSFET |
на замовлення 24169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK7K32-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7K32-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BUK7K32-100EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BUK7K32-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 76mΩ Drain current: 20.4A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 116A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 |
товару немає в наявності |

