BUK7K45-100EX

BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc.


BUK7K45-100E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK7K45-100EX за ціною від 35.27 грн до 105.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.66 грн
500+40.93 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7K45-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.69 грн
10+51.31 грн
100+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.65 грн
15+58.85 грн
100+44.66 грн
500+40.93 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Виробник : Nexperia BUK7K45_100E-2937872.pdf MOSFETs BUK7K45-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+84.38 грн
100+56.03 грн
500+47.55 грн
1000+45.76 грн
1500+38.84 грн
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Виробник : NEXPERIA 1179272709833437buk7k45-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7K45-100E.pdf BUK7K45-100EX Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.