Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7K45-100EX
BUK7K45-100EX

BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc.

BUK7K45-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK7K45-100EX за ціною від 31.47 грн до 106.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K45-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.22 грн
10+64.41 грн
100+42.81 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX Nexperia BUK7K45-100E.pdf MOSFETs SOT1205 100V 21.4A
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100E.pdf
BUK7K45-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.22 грн
10+64.41 грн
100+42.81 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7K45-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX BUK7K45-100E.pdf
BUK7K45-100EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 21.4A
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K45-100EX NEXP-S-A0003105596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7K45-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.