BUK7K5R6-30E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 63.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K5R6-30E,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 64W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7K5R6-30E,115 за ціною від 40.39 грн до 205.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7K5R6-30E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 30V 40A |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K5R6-30E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K5R6-30E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7K5R6-30E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 29.7nC On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 314A Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 |
товару немає в наявності |
