на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 38.20 грн |
| 3000+ | 37.69 грн |
| 4500+ | 32.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K6R8-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK7K6R8-40E,115 за ціною від 30.58 грн до 138.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs Dual N-channel 100 V, 82.5 mohm standard level MOSFET |
на замовлення 21262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7K6R8-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |