Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > BUK7M17-80EX

BUK7M17-80EX

BUK7M17-80E.pdf
Код товару: 205953
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BUK7M17-80EX за ціною від 20.78 грн до 144.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M17-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2031 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.65 грн
3000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX Nexperia 2039352414510254buk7m17-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+55.73 грн
500+44.19 грн
1000+40.27 грн
1500+33.97 грн
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX NEXPERIA BUK7M17-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M17-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 43 A, 0.014 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.63 грн
200+55.94 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX Nexperia BUK7M17-80E.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 80V 43A
на замовлення 12528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+65.65 грн
100+37.83 грн
500+30.10 грн
1000+24.23 грн
24000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M17-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2031 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+75.98 грн
50+56.76 грн
100+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80EX NEXPERIA BUK7M17-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M17-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 43 A, 0.014 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+91.01 грн
50+75.63 грн
200+55.94 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80E.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2031 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+35.65 грн
3000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX 2039352414510254buk7m17-80e.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
194+55.73 грн
500+44.19 грн
1000+40.27 грн
1500+33.97 грн
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80E.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M17-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 43 A, 0.014 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.63 грн
200+55.94 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80E.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 80V 43A
на замовлення 12528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.31 грн
10+65.65 грн
100+37.83 грн
500+30.10 грн
1000+24.23 грн
24000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80E.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2031 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.26 грн
10+75.98 грн
50+56.76 грн
100+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M17-80EX BUK7M17-80E.pdf
BUK7M17-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M17-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 43 A, 0.014 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+144.97 грн
10+91.01 грн
50+75.63 грн
200+55.94 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NTTFS6H850NLTAG
Код товару: 205954
Додати до обраних Обраний товар
nttfs6h850nl-d.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.