BUK7M19-60EX Nexperia
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 634+ | 19.21 грн |
| 644+ | 18.91 грн |
| 655+ | 18.61 грн |
| 666+ | 17.64 грн |
| 1000+ | 16.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M19-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK7M19-60EX за ціною від 7.47 грн до 50.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK7M19-60E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Application: automotive industry Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 143A Drain current: 25.3A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Application: automotive industry Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 143A Drain current: 25.3A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |