BUK7M22-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 26.5 грн |
| 3000+ | 24.02 грн |
| 7500+ | 22.87 грн |
| 10500+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M22-80EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M22-80EX за ціною від 20.43 грн до 60.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7M22-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M22-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7M22-80E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 71405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK7M22-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M22-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7M22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Polarisation: unipolar Application: automotive industry Power dissipation: 75W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 147A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 26A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK7M22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Polarisation: unipolar Application: automotive industry Power dissipation: 75W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 147A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 26A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |