BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 22.22 грн |
| 3000+ | 21.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7M27-80EX за ціною від 21.44 грн до 141.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M27-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M27-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 11334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 11334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUK7M27-80EX | Виробник : NXP |
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7M27-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |