Продукція > NEXPERIA > BUK7M27-80EX
BUK7M27-80EX

BUK7M27-80EX Nexperia

436256877350224buk7m27-80e.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M27-80EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції BUK7M27-80EX за ціною від 19.61 грн до 179.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia 436256877350224buk7m27-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia 436256877350224buk7m27-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+48.47 грн
500+25.68 грн
1500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia BUK7M27-80E.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.76 грн
10+51.13 грн
100+30.38 грн
500+25.54 грн
1000+22.64 грн
1500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia 436256877350224buk7m27-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+75.79 грн
520+68.21 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia 436256877350224buk7m27-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+75.79 грн
520+68.21 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.17 грн
200+46.89 грн
500+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.12 грн
100+36.36 грн
500+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia 436256877350224buk7m27-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.77 грн
199+71.55 грн
283+50.26 грн
537+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX NXP info-tbuk7m27-80ex.pdf N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+86.98 грн
50+79.17 грн
200+46.89 грн
500+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX 436256877350224buk7m27-80e.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX 436256877350224buk7m27-80e.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
222+48.47 грн
500+25.68 грн
1500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.76 грн
10+51.13 грн
100+30.38 грн
500+25.54 грн
1000+22.64 грн
1500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX 436256877350224buk7m27-80e.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
468+75.79 грн
520+68.21 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX 436256877350224buk7m27-80e.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
468+75.79 грн
520+68.21 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX NEXP-S-A0003105722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M27-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.17 грн
200+46.89 грн
500+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.87 грн
10+55.12 грн
100+36.36 грн
500+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX 436256877350224buk7m27-80e.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
137+103.77 грн
199+71.55 грн
283+50.26 грн
537+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX info-tbuk7m27-80ex.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: NXP
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX NEXP-S-A0003105722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M27-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+179.60 грн
10+86.98 грн
50+79.17 грн
200+46.89 грн
500+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.