Продукція > NEXPERIA > BUK7M3R3-40HX
BUK7M3R3-40HX

BUK7M3R3-40HX Nexperia

buk7m3r340h.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.61 грн
25+41.46 грн
50+39.83 грн
100+36.75 грн
250+35.21 грн
500+35.08 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M3R3-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK7M3R3-40HX за ціною від 27.52 грн до 97.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
601+51.17 грн
1000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 601
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA buk7m3r3-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.29 грн
196+62.99 грн
197+62.67 грн
198+60.14 грн
250+55.41 грн
500+52.93 грн
1000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.84 грн
10+70.29 грн
100+54.68 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia BUK7M3R3-40H.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.78 грн
10+69.06 грн
25+59.37 грн
100+44.89 грн
500+41.85 грн
1500+39.28 грн
3000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.82 грн
13+68.47 грн
100+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX Виробник : NXP BUK7M3R3-40H.pdf N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7M3R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7M3R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.