Продукція > NEXPERIA > BUK7M3R3-40HX

BUK7M3R3-40HX Nexperia


buk7m3r340h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
170+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M3R3-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 101W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції BUK7M3R3-40HX за ціною від 37.22 грн до 281.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.30 грн
249+57.05 грн
250+56.79 грн
251+54.51 грн
500+50.24 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.57 грн
25+57.30 грн
50+55.01 грн
100+50.70 грн
250+48.45 грн
500+48.23 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX NXP TBUK7m3r3-40h_0001.pdf N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+65.67 грн
500+43.04 грн
1500+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia BUK7M3R3-40H.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 80A
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.57 грн
10+72.51 грн
1500+63.05 грн
3000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.83 грн
10+78.82 грн
100+53.10 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.87 грн
10+181.67 грн
100+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX buk7m3r340h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
256+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX buk7m3r340h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
248+57.30 грн
249+57.05 грн
250+56.79 грн
251+54.51 грн
500+50.24 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX buk7m3r340h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+57.57 грн
25+57.30 грн
50+55.01 грн
100+50.70 грн
250+48.45 грн
500+48.23 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX TBUK7m3r3-40h_0001.pdf
Виробник: NXP
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX buk7m3r340h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
165+65.67 грн
500+43.04 грн
1500+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40H.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 80A
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+80.57 грн
10+72.51 грн
1500+63.05 грн
3000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX 2787524.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.83 грн
10+78.82 грн
100+53.10 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M3R3-40HX 2787524.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+281.87 грн
10+181.67 грн
100+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.