BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 43.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M4R3-40HX за ціною від 42.39 грн до 119.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M4R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK7M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK7M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK7M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A |
товару немає в наявності |