BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 24.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7M6R3-40EX за ціною від 21.82 грн до 162.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M6R3-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M6R3-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 28.1nC On-state resistance: 12.5mΩ Drain current: 56.4A Power dissipation: 79W Pulsed drain current: 319A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK7M6R3-40EX | Виробник : NXP |
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |