Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7M6R3-40EX
BUK7M6R3-40EX

BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.

BUK7M6R3-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 79W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції BUK7M6R3-40EX за ціною від 16.84 грн до 176.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M6R3-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+38.74 грн
100+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA BUK7M6R3-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.43 грн
10+57.34 грн
25+51.52 грн
100+47.37 грн
250+45.70 грн
500+40.72 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.96 грн
200+65.44 грн
500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX Nexperia BUK7M6R3-40E.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+54.38 грн
100+31.07 грн
500+24.37 грн
1000+21.40 грн
1500+18.85 грн
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NXP info-tbuk7m6r3-40ex.pdf N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.38 грн
10+112.76 грн
50+82.96 грн
200+65.44 грн
500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40E.pdf
BUK7M6R3-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.47 грн
10+38.74 грн
100+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40E.pdf
BUK7M6R3-40EX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+81.43 грн
10+57.34 грн
25+51.52 грн
100+47.37 грн
250+45.70 грн
500+40.72 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX NEXP-S-A0003105536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M6R3-40EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.96 грн
200+65.44 грн
500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40E.pdf
BUK7M6R3-40EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.40 грн
10+54.38 грн
100+31.07 грн
500+24.37 грн
1000+21.40 грн
1500+18.85 грн
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX info-tbuk7m6r3-40ex.pdf
BUK7M6R3-40EX
Виробник: NXP
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EX NEXP-S-A0003105536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M6R3-40EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.38 грн
10+112.76 грн
50+82.96 грн
200+65.44 грн
500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.