BUK7M6R3-40EX Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 29.76 грн |
| 3000+ | 27.25 грн |
| 9000+ | 25.20 грн |
| 24000+ | 23.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M6R3-40EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 79W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.
Інші пропозиції BUK7M6R3-40EX за ціною від 23.80 грн до 120.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7M6R3-40EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 319A Power dissipation: 79W Gate charge: 28.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 56.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 |
на замовлення 1489 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7M6R3-40EX | NXP |
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40exкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 79W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | Nexperia |
MOSFETs BUK7M6R3-40E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 79W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 30.05 грн |
| 3000+ | 27.52 грн |
| 9000+ | 25.44 грн |
| 24000+ | 23.80 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 31.77 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 28.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 56.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 28.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 56.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.00 грн |
| 10+ | 57.74 грн |
| 25+ | 51.88 грн |
| 100+ | 47.70 грн |
| 250+ | 46.02 грн |
| 500+ | 41.00 грн |
| 1000+ | 40.17 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.05 грн |
| 10+ | 67.63 грн |
| 100+ | 45.01 грн |
| 500+ | 33.13 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NXP
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 120.42 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK7M6R3-40E/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs BUK7M6R3-40E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







