Продукція > NEXPERIA > BUK7M8R0-40EX
BUK7M8R0-40EX

BUK7M8R0-40EX NEXPERIA

NEXP-S-A0003105505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.30 грн
500+24.72 грн
1000+22.31 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M8R0-40EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK7M8R0-40EX за ціною від 12.89 грн до 101.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.93 грн
26+33.68 грн
100+27.30 грн
500+24.72 грн
1000+22.31 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : Nexperia BUK7M8R0-40E.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 69A
на замовлення 20966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.55 грн
11+33.48 грн
100+24.11 грн
500+19.56 грн
1000+19.26 грн
1500+17.97 грн
24000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M8R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.71 грн
10+61.61 грн
100+40.87 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : NEXPERIA 268928562893135buk7m8r0-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : Nexperia 268928562893135buk7m8r0-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : Nexperia 268928562893135buk7m8r0-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX Виробник : NEXPERIA BUK7M8R0-40E.pdf BUK7M8R0-40EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M8R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.