BUK7M8R0-40EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.51 грн |
| 500+ | 28.29 грн |
| 1000+ | 24.13 грн |
| 5000+ | 22.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M8R0-40EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK7M8R0-40EX за ціною від 18.86 грн до 68.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M8R0-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R0-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M8R0-40EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK7M8R0-40E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 21645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M8R0-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7M8R0-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W Application: automotive industry Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 276A Drain current: 48.8A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R0-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7M8R0-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W Application: automotive industry Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 276A Drain current: 48.8A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |