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Технічний опис BUK7M8R0-40EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції BUK7M8R0-40EX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BUK7M8R0-40EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 3852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BUK7M8R0-40EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 3852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK7M8R0-40EX |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7M8R0-40EX |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)