BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 27.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7M8R5-40HX за ціною від 17.26 грн до 101.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 33490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M8R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |