BUK7M8R5-40HX

BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc.


BUK7M8R5-40H.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0074 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK7M8R5-40HX за ціною від 17.48 грн до 59.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia buk7m8r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 33490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1198+25.53 грн
10000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 1198
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : NEXPERIA 2787527.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0074 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.00 грн
500+31.18 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M8R5-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.20 грн
10+38.49 грн
100+28.81 грн
500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia BUK7M8R5-40H.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 9.5 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.12 грн
10+42.67 грн
100+27.79 грн
500+22.45 грн
1000+17.87 грн
1500+17.79 грн
9000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : NEXPERIA 2787527.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0074 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.61 грн
19+45.48 грн
100+34.00 грн
500+31.18 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia buk7m8r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia buk7m8r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40HX Виробник : Nexperia buk7m8r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7M8R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HX Виробник : NEXPERIA BUK7M8R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.