Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7M9R9-60EX
BUK7M9R9-60EX

BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.

BUK7M9R9-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+27.26 грн
3000+24.17 грн
4500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 79W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції BUK7M9R9-60EX за ціною від 28.52 грн до 96.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M9R9-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.99 грн
10+58.70 грн
100+38.91 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60EX Nexperia BUK7M9R9-60E.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60E.pdf
BUK7M9R9-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.99 грн
10+58.70 грн
100+38.91 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX NEXP-S-A0003105560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M9R9-60EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60E.pdf
BUK7M9R9-60EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EX NEXP-S-A0003105560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7M9R9-60EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.