BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.08 грн |
| 10+ | 50.79 грн |
| 100+ | 38.11 грн |
| 500+ | 28.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M9R9-60EX за ціною від 22.60 грн до 70.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A |
на замовлення 27629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M9R9-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7M9R9-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 240A; 79W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 30.1nC On-state resistance: 22mΩ Drain current: 42A Power dissipation: 79W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M9R9-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7M9R9-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 240A; 79W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 30.1nC On-state resistance: 22mΩ Drain current: 42A Power dissipation: 79W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 |
товару немає в наявності |