Продукція > NEXPERIA > BUK7Q4R9-40H
BUK7Q4R9-40H

BUK7Q4R9-40H NEXPERIA

4591314.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.04 грн
37+23.60 грн
100+22.99 грн
500+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Q4R9-40H NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).