BUK7Q4R9-40H NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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Технічний опис BUK7Q4R9-40H NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 84W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm.
Інші пропозиції BUK7Q4R9-40H за ціною від 31.63 грн до 107.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BUK7Q4R9-40H | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 84W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BUK7Q4R9-40H |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
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| 8+ | 107.92 грн |
| 13+ | 65.88 грн |
| 100+ | 43.41 грн |
| 500+ | 31.63 грн |