Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7S0R7-40HJ
BUK7S0R7-40HJ

BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc.

BUK7S0R7-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+176.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1235, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції BUK7S0R7-40HJ за ціною від 159.32 грн до 448.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S0R7-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.59 грн
10+289.81 грн
100+209.15 грн
500+164.02 грн
1000+159.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40H.pdf
BUK7S0R7-40HJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.59 грн
10+289.81 грн
100+209.15 грн
500+164.02 грн
1000+159.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.