Продукція > NEXPERIA > BUK7S1R0-40HJ
BUK7S1R0-40HJ

BUK7S1R0-40HJ Nexperia

buk7s1r040h.pdf
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.48 грн
10+149.57 грн
25+148.08 грн
50+141.96 грн
100+108.72 грн
250+104.18 грн
500+94.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7S1R0-40HJ Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK7S1R0-40HJ за ціною від 94.30 грн до 384.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia buk7s1r040h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.48 грн
95+149.57 грн
96+148.08 грн
97+141.96 грн
117+108.72 грн
250+104.18 грн
500+94.30 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S1R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+175.23 грн
100+141.43 грн
500+120.85 грн
1000+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia buk7s1r0-40h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.33 грн
42+341.05 грн
43+334.06 грн
50+284.67 грн
100+248.23 грн
250+235.87 грн
500+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia BUK7S1R0-40H.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ buk7s1r040h.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+182.48 грн
95+149.57 грн
96+148.08 грн
97+141.96 грн
117+108.72 грн
250+104.18 грн
500+94.30 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+175.23 грн
100+141.43 грн
500+120.85 грн
1000+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ buk7s1r0-40h.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+384.33 грн
42+341.05 грн
43+334.06 грн
50+284.67 грн
100+248.23 грн
250+235.87 грн
500+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.