Продукція > NEXPERIA > BUK7S1R0-40HJ
BUK7S1R0-40HJ

BUK7S1R0-40HJ Nexperia

buk7s1r040h.pdf
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.70 грн
10+150.57 грн
25+149.07 грн
50+132.58 грн
100+109.44 грн
250+104.88 грн
500+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7S1R0-40HJ Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK7S1R0-40HJ за ціною від 94.93 грн до 386.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia buk7s1r040h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.70 грн
95+150.57 грн
96+149.07 грн
104+132.58 грн
117+109.44 грн
250+104.88 грн
500+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia BUK7S1R0-40H.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+219.94 грн
10+154.53 грн
2000+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Nexperia buk7s1r0-40h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.89 грн
42+343.32 грн
43+336.28 грн
50+286.57 грн
100+249.89 грн
250+237.44 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ buk7s1r040h.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+183.70 грн
95+150.57 грн
96+149.07 грн
104+132.58 грн
117+109.44 грн
250+104.88 грн
500+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.94 грн
10+154.53 грн
2000+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ buk7s1r0-40h.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+386.89 грн
42+343.32 грн
43+336.28 грн
50+286.57 грн
100+249.89 грн
250+237.44 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
BUK7S1R0-40HJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.