Продукція > NEXPERIA > BUK7S1R0-40HJ

BUK7S1R0-40HJ Nexperia

Name: BUK7S1R0-40HJ
Brand: Nexperia
SKU: 19989468-5
Price: 12554.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
106+	118.44 грн
116+	108.21 грн
117+	107.13 грн
119+	102.27 грн
126+	89.08 грн
250+	85.15 грн
500+	84.79 грн
1000+	81.45 грн

Мінімальне замовлення: 106

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BUK7S1R0-40HJ Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK7S1R0-40HJ за ціною від 87.27 грн до 339.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	126.90 грн
10+	115.94 грн
25+	114.78 грн
50+	109.57 грн
100+	95.44 грн
250+	91.23 грн
500+	90.84 грн
1000+	87.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	155.24 грн
500+	143.34 грн
1000+	129.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	214.88 грн
50+	167.52 грн
100+	155.24 грн
500+	143.34 грн
1000+	129.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia

MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A

на замовлення 5420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	263.61 грн
10+	185.22 грн
2000+	161.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	277.40 грн
10+	190.82 грн
100+	154.01 грн
500+	131.60 грн
1000+	124.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	339.58 грн
42+	301.34 грн
43+	295.16 грн
50+	251.53 грн
100+	219.33 грн
250+	208.41 грн
500+	180.28 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : NEXPERIA

N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : NEXPERIA

N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUK7S1R0-40HJ

Виробник : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 325A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.