BUK7S1R0-40HJ Nexperia
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 87.40 грн |
| 163+ | 79.38 грн |
| 164+ | 76.07 грн |
| 183+ | 63.15 грн |
| 250+ | 60.41 грн |
| 500+ | 56.85 грн |
| 1000+ | 51.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7S1R0-40HJ Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7S1R0-40HJ за ціною від 55.55 грн до 350.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A |
на замовлення 5420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK7S1R0-40HJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |