BUK7S1R5-40HJ Nexperia
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.52 грн |
| 25+ | 51.65 грн |
| 50+ | 48.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7S1R5-40HJ Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1235, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BUK7S1R5-40HJ за ціною від 77.70 грн до 310.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 143700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1235 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 260 A |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 260 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 242 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 242 Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUK7S1R5-40HJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 260 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 242 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 242 Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 93.93 грн |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 104.64 грн |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 143700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 220.10 грн |
| 500+ | 208.39 грн |
| 1000+ | 196.69 грн |
| 10000+ | 178.37 грн |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.87 грн |
| 10+ | 175.67 грн |
| 100+ | 123.38 грн |
| 500+ | 96.96 грн |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 310.53 грн |
| 10+ | 221.30 грн |
| 100+ | 160.92 грн |
| 500+ | 109.93 грн |
| 1000+ | 94.91 грн |
| 2000+ | 77.70 грн |
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 260 A
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 260 A
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7S1R5-40HJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





