Технічний опис BUK7V4R2-40HX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 85W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7V4R2-40HX за ціною від 56.79 грн до 218.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7V4R2-40HX | Nexperia |
 MOSFETs SOT1205 N-CH 40V 98A |
на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BUK7V4R2-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BUK7V4R2-40HX | NXP |
Transistor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C; BUK7V4R2-40HX TBUK7V4R2-40HX кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| BUK7V4R2-40HX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 N-CH 40V 98A
MOSFETs SOT1205 N-CH 40V 98A
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.31 грн |
| 10+ | 127.82 грн |
| 1500+ | 111.14 грн |
| 3000+ | 59.37 грн |
| BUK7V4R2-40HX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.63 грн |
| 10+ | 110.31 грн |
| 100+ | 75.44 грн |
| 500+ | 56.79 грн |
| BUK7V4R2-40HX |
|
Виробник: NXP
Transistor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C; BUK7V4R2-40HX TBUK7V4R2-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C; BUK7V4R2-40HX TBUK7V4R2-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 218.54 грн |