BUK7Y102-100B,115 NEXPERIA
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4500+ | 16.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y102-100B,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7Y102-100B,115 за ціною від 15.52 грн до 53.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK7Y102-100B/SOT669/LFPAK |
на замовлення 16808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.6A; Idm: 60A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 265mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7Y102-100B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.6A; Idm: 60A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 265mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |