Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y113-100EX
BUK7Y113-100EX

BUK7Y113-100EX Nexperia USA Inc.

BUK7Y113-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.92 грн
10+40.09 грн
100+27.76 грн
500+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y113-100EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BUK7Y113-100EX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7Y113-100EX BUK7Y113-100EX Nexperia USA Inc. BUK7Y113-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y113-100EX BUK7Y113-100EX Nexperia BUK7Y113-100E.pdf MOSFETs SOT669 100V 12A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y113-100EX BUK7Y113-100E.pdf
BUK7Y113-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y113-100EX BUK7Y113-100E.pdf
BUK7Y113-100EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 12A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.