BUK7Y12-55B,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 39.61 грн |
| 3000+ | 37.42 грн |
| 4500+ | 37.34 грн |
| 7500+ | 34.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y12-55B,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 105W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7Y12-55B,115 за ціною від 37.59 грн до 125.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET |
на замовлення 8103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7Y12-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61.8A; Idm: 247A; 105W Application: automotive industry Power dissipation: 105W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 247A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 55V Drain current: 61.8A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61.8A; Idm: 247A; 105W Application: automotive industry Power dissipation: 105W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 247A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 55V Drain current: 61.8A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |