Технічний опис BUK7Y14-80EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BUK7Y14-80EX за ціною від 28.42 грн до 125.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y14-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W Polarisation: unipolar Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 35.1mΩ Drain current: 46A Power dissipation: 147W Pulsed drain current: 259A Application: automotive industry Drain-source voltage: 80V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 65A |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BUK7Y14-80EX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.79 грн |
| BUK7Y14-80EX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.77 грн |
| 10+ | 61.20 грн |
| 100+ | 47.60 грн |
| BUK7Y14-80EX |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 80V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 80V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 85.09 грн |
| 10+ | 64.72 грн |
| 25+ | 58.84 грн |
| 100+ | 54.63 грн |
| 250+ | 52.11 грн |
| 500+ | 46.23 грн |
| BUK7Y14-80EX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 65A
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 65A
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.46 грн |
| 10+ | 78.70 грн |
| 100+ | 45.67 грн |
| 500+ | 36.03 грн |
| 1000+ | 31.35 грн |
| 1500+ | 28.91 грн |
| 3000+ | 28.42 грн |