Технічний опис BUK7Y14-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.
Інші пропозиції BUK7Y14-80EX за ціною від 38.00 грн до 120.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W On-state resistance: 35.1mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 259A Power dissipation: 147W Gate charge: 44.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 46A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | Nexperia |
MOSFETs BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 44.14 грн |
| 3000+ | 38.00 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 44.70 грн |
| 3000+ | 38.48 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 45.49 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 45.49 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 69.96 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 78.50 грн |
| 10+ | 61.77 грн |
| 100+ | 48.04 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
On-state resistance: 35.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 44.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
On-state resistance: 35.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 44.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.88 грн |
| 10+ | 65.33 грн |
| 25+ | 59.39 грн |
| 100+ | 55.15 грн |
| 250+ | 52.60 грн |
| 500+ | 46.66 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 120.84 грн |
| 3000+ | 119.67 грн |
| 6000+ | 118.51 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







