Продукція > NEXPERIA > BUK7Y15-100EX

BUK7Y15-100EX NEXPERIA

Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Application: automotive industry
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 54.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 274A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 41.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BUK7Y15-100EX NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W, Application: automotive industry, Power dissipation: 195W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 54.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 274A, Mounting: SMD, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 48A, On-state resistance: 41.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BUK7Y15-100EX

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BUK7Y15-100EX	Виробник : NEXPERIA	Trans MOSFET N-CH 100V 68A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BUK7Y15-100EX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BUK7Y15-100EX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BUK7Y15-100EX	Виробник : Nexperia	MOSFET N-channel 60 V 15 mOhm MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BUK7Y15-100EX	Виробник : NEXPERIA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W Application: automotive industry Power dissipation: 195W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 54.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 274A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A On-state resistance: 41.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.