Продукція > NEXPERIA > BUK7Y15-100EX

BUK7Y15-100EX NEXPERIA


BUK7Y15-100E.pdf Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Application: automotive industry
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 54.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Drain current: 48A
On-state resistance: 41.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y15-100EX NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W, Application: automotive industry, Power dissipation: 195W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Mounting: SMD, Gate charge: 54.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 274A, Drain current: 48A, On-state resistance: 41.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BUK7Y15-100EX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Виробник : NEXPERIA 3007222241500071buk7y15-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y15-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y15-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Виробник : Nexperia BUK7Y15-100E-1320054.pdf MOSFET N-channel 60 V 15 mOhm MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Application: automotive industry
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 54.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Drain current: 48A
On-state resistance: 41.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.