BUK7Y19-100EX

BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.


BUK7Y19-100E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+34.86 грн
3000+ 31.6 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 225A, Power dissipation: 169W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 52.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 55nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BUK7Y19-100EX за ціною від 38.67 грн до 79.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7Y19-100EX BUK7Y19-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y19-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.24 грн
10+ 62.5 грн
100+ 48.61 грн
500+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUK7Y19-100EX BUK7Y19-100EX Виробник : Nexperia BUK7Y19-100E-1320030.pdf MOSFET 100V N-CH 19 STD LEVEL
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK7Y19-100EX BUK7Y19-100EX Виробник : NEXPERIA 3012488738687078buk7y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK7Y19-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y19-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 169W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK7Y19-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y19-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 169W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній