BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 34.86 грн |
3000+ | 31.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 225A, Power dissipation: 169W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 52.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 55nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BUK7Y19-100EX за ціною від 38.67 грн до 79.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia | MOSFET 100V N-CH 19 STD LEVEL |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 56A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 225A Power dissipation: 169W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 225A Power dissipation: 169W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |