
BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 37.42 грн |
3000+ | 33.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 55nC, On-state resistance: 52.6mΩ, Drain current: 40A, Power dissipation: 169W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 225A, Drain-source voltage: 100V, Application: automotive industry, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BUK7Y19-100EX за ціною від 38.83 грн до 127.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 55nC On-state resistance: 52.6mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 169W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 225A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 55nC On-state resistance: 52.6mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 169W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 225A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
товару немає в наявності |