Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y1R0-40NX
BUK7Y1R0-40NX

BUK7Y1R0-40NX Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.35 грн
10+117.11 грн
100+80.22 грн
500+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y1R0-40NX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 268W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm.

Інші пропозиції BUK7Y1R0-40NX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA 4190488.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Nexperia MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA 4190488.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX 4190488.pdf
BUK7Y1R0-40NX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX
BUK7Y1R0-40NX
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX 4190488.pdf
BUK7Y1R0-40NX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.