Продукція > NEXPERIA > BUK7Y1R0-40NX
BUK7Y1R0-40NX

BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA


Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.93 грн
500+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK7Y1R0-40NX за ціною від 66.22 грн до 332.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Виробник : Nexperia MOSFETs N-channel 40 V, 0.97 mOhm, Standard level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.39 грн
10+127.97 грн
100+76.17 грн
500+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.53 грн
10+128.97 грн
100+88.35 грн
500+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.29 грн
10+179.33 грн
100+145.93 грн
500+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX Виробник : NEXPERIA buk7y1r0-40n.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 0.32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.