BUK7Y1R4-40HX Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.48 грн |
| 500+ | 139.39 грн |
| 1000+ | 131.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y1R4-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK7Y1R4-40HX за ціною від 146.02 грн до 222.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7Y1R4-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BUK7Y1R4-40HX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A |
на замовлення 6467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BUK7Y1R4-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BUK7Y1R4-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BUK7Y1R4-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAKPackaging: Cut Tape (CT) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj) Grade: Automotive Vgs (Max): +20V, -10V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK7Y1R4-40HX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 170.94 грн |
| BUK7Y1R4-40HX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
на замовлення 6467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7Y1R4-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7Y1R4-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7Y1R4-40HX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q100
Description: BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.89 грн |
| 10+ | 180.54 грн |
| 100+ | 146.02 грн |





