Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y1R7-40HX
BUK7Y1R7-40HX

BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.

BUK7Y1R7-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 294W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm.

Інші пропозиції BUK7Y1R7-40HX за ціною від 43.99 грн до 443.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y1R7-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.76 грн
10+95.54 грн
100+65.06 грн
500+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Nexperia BUK7Y1R7-40H.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.89 грн
10+109.21 грн
100+64.24 грн
500+51.32 грн
1000+45.95 грн
1500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX NEXPERIA 2553003.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.18 грн
500+165.67 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX NEXPERIA 2553003.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.99 грн
10+304.68 грн
100+210.18 грн
500+165.67 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40H.pdf
BUK7Y1R7-40HX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.76 грн
10+95.54 грн
100+65.06 грн
500+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40H.pdf
BUK7Y1R7-40HX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.89 грн
10+109.21 грн
100+64.24 грн
500+51.32 грн
1000+45.95 грн
1500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX 2553003.pdf
BUK7Y1R7-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+210.18 грн
500+165.67 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HX 2553003.pdf
BUK7Y1R7-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+443.99 грн
10+304.68 грн
100+210.18 грн
500+165.67 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.