BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 47.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7Y1R7-40HX за ціною від 43.47 грн до 275.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 127740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |