BUK7Y28-75B,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.14 грн |
| 10+ | 56.48 грн |
| 100+ | 37.48 грн |
| 500+ | 27.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y28-75B,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7Y28-75B,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y28-75B,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 75V 35.5A |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK7Y28-75B,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 75V 35.5A
MOSFETs SOT669 N-CH 75V 35.5A
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)