Продукція > NEXPERIA > BUK7Y2R5-40HX

BUK7Y2R5-40HX Nexperia


buk7y2r540h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
665+21.34 грн
676+21.00 грн
687+20.66 грн
698+19.60 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y2R5-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 190W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm.

Інші пропозиції BUK7Y2R5-40HX за ціною від 17.13 грн до 335.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX Nexperia buk7y2r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.68 грн
36+21.34 грн
100+20.25 грн
250+18.44 грн
500+17.42 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y2R5-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.90 грн
100+58.72 грн
500+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX Nexperia buk7y2r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX NEXPERIA BUK7Y2R5-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.77 грн
500+127.14 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX Nexperia buk7y2r540h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.72 грн
114+125.31 грн
164+86.57 грн
500+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX NEXPERIA 2553005.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.85 грн
10+230.34 грн
100+174.77 грн
500+127.14 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX buk7y2r540h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+21.68 грн
36+21.34 грн
100+20.25 грн
250+18.44 грн
500+17.42 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.35 грн
10+86.90 грн
100+58.72 грн
500+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX buk7y2r540h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40H.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+174.77 грн
500+127.14 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX buk7y2r540h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+187.72 грн
114+125.31 грн
164+86.57 грн
500+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y2R5-40HX 2553005.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+335.85 грн
10+230.34 грн
100+174.77 грн
500+127.14 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.