BUK7Y2R5-40HX Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.73 грн |
| 25+ | 57.82 грн |
| 100+ | 54.86 грн |
| 250+ | 49.97 грн |
| 500+ | 47.19 грн |
| 1000+ | 46.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y2R5-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 190W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm.
Інші пропозиції BUK7Y2R5-40HX за ціною від 44.68 грн до 187.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK7Y2R5-40HX | Nexperia |
MOSFETs BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 241+ | 58.73 грн |
| 245+ | 57.82 грн |
| 249+ | 56.89 грн |
| 253+ | 53.97 грн |
| 500+ | 49.16 грн |
| 1000+ | 46.40 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 105.60 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.31 грн |
| 10+ | 88.73 грн |
| 100+ | 59.95 грн |
| 500+ | 44.68 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 224+ | 157.94 грн |
| 500+ | 142.61 грн |
| 1000+ | 130.83 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 185.92 грн |
| 10+ | 124.00 грн |
| 50+ | 96.71 грн |
| 100+ | 81.78 грн |
| 500+ | 67.65 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 185.92 грн |
| 115+ | 124.00 грн |
| 147+ | 96.71 грн |
| 167+ | 81.78 грн |
| 500+ | 67.65 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 187.12 грн |
| 114+ | 124.98 грн |
| 164+ | 86.38 грн |
| 500+ | 71.67 грн |
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7Y2R5-40HX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)