BUK7Y3R1-80MX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 69.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y3R1-80MX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7Y3R1-80MX за ціною від 69.12 грн до 297.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y3R1-80MX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK7Y3R1-80MX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 80 V, 3.1 mOhm, Standard level MOSFET in LFPAK56 |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y3R1-80MX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK7Y3R1-80MX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
товару немає в наявності |