
BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 31.30 грн |
3000+ | 30.58 грн |
4500+ | 29.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK7Y3R5-40E,115 за ціною від 27.10 грн до 98.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 622A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BUK7Y3R5-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 622A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
товару немає в наявності |