BUK7Y41-80EX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y41-80EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1119 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7Y41-80EX за ціною від 19.10 грн до 96.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y41-80EX | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 80V 25A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1119 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1119 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 18A On-state resistance: 103mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
BUK7Y41-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-channel 80 V 41 mo FET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 18A On-state resistance: 103mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
товару немає в наявності |