Технічний опис BUK7Y4R4-40EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R4-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Інші пропозиції BUK7Y4R4-40EX за ціною від 46.96 грн до 167.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2781 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK7Y4R4-40EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R4-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3300 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BUK7Y4R4-40EX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A |
на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 690+ | 50.91 грн |
| 1000+ | 46.96 грн |
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2781 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2781 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.85 грн |
| 10+ | 73.90 грн |
| 100+ | 49.42 грн |
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 276+ | 127.61 грн |
| 500+ | 114.86 грн |
| 1000+ | 105.92 грн |
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 167.31 грн |
| 10+ | 106.28 грн |
| 100+ | 71.12 грн |
| 500+ | 54.04 грн |
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R4-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R4-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7Y4R4-40EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






