Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y4R8-60EX
BUK7Y4R8-60EX

BUK7Y4R8-60EX Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R8-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+53.13 грн
3000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y4R8-60EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.

Інші пропозиції BUK7Y4R8-60EX за ціною від 43.56 грн до 273.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX Nexperia 3009048055664968buk7y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX Nexperia 3009048055664968buk7y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX Nexperia BUK7Y4R8-60E.pdf MOSFETs SOT669 N CHAN 60V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+89.71 грн
100+62.75 грн
500+53.09 грн
1000+46.39 грн
1500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX NEXPERIA NEXP-S-A0003059997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.25 грн
200+98.72 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y4R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+106.42 грн
100+72.63 грн
500+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60EX NEXPERIA NEXP-S-A0003059997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.84 грн
10+177.19 грн
50+156.25 грн
200+98.72 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX 3009048055664968buk7y4r8-60e.pdf
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX 3009048055664968buk7y4r8-60e.pdf
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60E.pdf
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 60V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.84 грн
10+89.71 грн
100+62.75 грн
500+53.09 грн
1000+46.39 грн
1500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX NEXP-S-A0003059997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+156.25 грн
200+98.72 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60E.pdf
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.64 грн
10+106.42 грн
100+72.63 грн
500+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y4R8-60EX NEXP-S-A0003059997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7Y4R8-60EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+273.84 грн
10+177.19 грн
50+156.25 грн
200+98.72 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.