BUK7Y4R8-60EX Nexperia
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 47.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y4R8-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7Y4R8-60EX за ціною від 47.63 грн до 208.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N CHAN 60V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BUK7Y4R8-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



