BUK7Y7R0-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y7R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5700 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.43 грн |
| 500+ | 29.02 грн |
| 1000+ | 25.84 грн |
| 5000+ | 24.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y7R0-40HX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5700 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7Y7R0-40HX за ціною від 24.82 грн до 139.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 68A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5700 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 68A |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC On-state resistance: 13.6mΩ Drain current: 48A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC On-state resistance: 13.6mΩ Drain current: 48A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 68A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R0-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 68A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |