BUK7Y7R8-80EX NEXPERIA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 55.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y7R8-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R8-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7Y7R8-80EX за ціною від 49.37 грн до 215.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5347 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R8-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5347 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R8-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 441A; 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 63.3nC On-state resistance: 19.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 78A Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 238W Pulsed drain current: 441A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |