Продукція > NEXPERIA > BUK7Y8R7-60EX
BUK7Y8R7-60EX

BUK7Y8R7-60EX Nexperia

2748300671385185buk7y8r7-60e.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y8R7-60EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm.

Інші пропозиції BUK7Y8R7-60EX за ціною від 29.13 грн до 186.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y8R7-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+61.03 грн
100+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Nexperia BUK7Y8R7-60E.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A
на замовлення 7588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+80.18 грн
100+46.67 грн
500+36.80 грн
1000+32.03 грн
1500+29.62 грн
3000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX NEXPERIA BUK7Y8R7-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.45 грн
10+124.64 грн
25+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX NEXPERIA NEXP-S-A0003060212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.05 грн
10+117.59 грн
100+86.18 грн
500+62.97 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60E.pdf
BUK7Y8R7-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.64 грн
10+61.03 грн
100+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60E.pdf
BUK7Y8R7-60EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A
на замовлення 7588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.06 грн
10+80.18 грн
100+46.67 грн
500+36.80 грн
1000+32.03 грн
1500+29.62 грн
3000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60E.pdf
BUK7Y8R7-60EX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+166.45 грн
10+124.64 грн
25+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EX NEXP-S-A0003060212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7Y8R7-60EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+186.05 грн
10+117.59 грн
100+86.18 грн
500+62.97 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.