Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y9R9-80EX
BUK7Y9R9-80EX

BUK7Y9R9-80EX Nexperia USA Inc.

BUK7Y9R9-80E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y9R9-80EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7Y9R9-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 7300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 195W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.

Інші пропозиції BUK7Y9R9-80EX за ціною від 49.13 грн до 156.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y9R9-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.26 грн
10+96.51 грн
100+65.59 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0001056962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y9R9-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 7300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX Nexperia BUK7Y9R9-80E.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 89A
на замовлення 19303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80E.pdf
BUK7Y9R9-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.26 грн
10+96.51 грн
100+65.59 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX NEXP-S-A0001056962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7Y9R9-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y9R9-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 7300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80E.pdf
BUK7Y9R9-80EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 89A
на замовлення 19303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.