Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7Y9R9-80EX
BUK7Y9R9-80EX

BUK7Y9R9-80EX Nexperia USA Inc.

BUK7Y9R9-80E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y9R9-80EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK7Y9R9-80EX за ціною від 41.79 грн до 123.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX Виробник : Nexperia BUK7Y9R9-80E.pdf MOSFETs BUK7Y9R9-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 24324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.44 грн
10+85.45 грн
100+57.02 грн
500+50.10 грн
1000+44.73 грн
1500+43.55 грн
3000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y9R9-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+85.83 грн
100+63.88 грн
500+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y9R9-80E.pdf BUK7Y9R9-80EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.