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Технічний опис BUK9214-30A,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BUK9214-30A,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BUK9214-30A,118 | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 9517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BUK9214-30A,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 9517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9214-30A,118 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9214-30A,118 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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термін постачання 21-31 дні (днів)