
BUK9217-75B,118 NEXPERIA
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 51.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9217-75B,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BUK9217-75B,118 за ціною від 36.93 грн до 146.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm |
на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |