BUK9516-55A,127 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3085 pF @ 25 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 579+ | 34.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9516-55A,127 NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3085 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUK9516-55A,127 за ціною від 52.29 грн до 52.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9516-55A,127 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BUK9516-55A,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
BUK9516-55A,127 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3085 pF @ 25 V |
товар відсутній |