Продукція > NXP USA INC. > BUK95180-100A,127
BUK95180-100A,127

BUK95180-100A,127 NXP USA Inc.


BUK95180-100A.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK95180-100A,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BUK95180-100A,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK95180-100A,127 BUK95180-100A,127 Nexperia BUK95180-100A.pdf?cid=Brand_nxpdatafeed-web_third_party-06_01_13 MOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK95180-100A,127 BUK95180-100A.pdf?cid=Brand_nxpdatafeed-web_third_party-06_01_13
BUK95180-100A,127
Виробник: Nexperia
MOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.