
BUK954R8-60E NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK954R8-60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 234
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Технічний опис BUK954R8-60E NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK954R8-60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 234, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, Verlustleistung: 234, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BUK954R8-60E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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BUK954R8-60E | Виробник : NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
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