BUK954R8-60E NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BUK954R8-60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 234, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, Verlustleistung: 234, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).